MEMS代加工服务

业务介绍

甫一科技为客户提供MEMS加工、设计、咨询等服务。其技术支持范围包括MEMS器件结构设计与模拟、可行性分析;提供MEMS 晶圆加工工艺以及单步工艺加工服务,如光刻、热氧化、离子注入、反应离子刻蚀(用于金属薄膜如Al、Ni、Cr、Ti等、poly和Ⅲ-Ⅴ族化合物)、反应离子刻蚀(SiO2、Si3N4、非晶硅、SiON、SiC)、PECVD(SiO2、Si3N4、非晶硅、SiC、SiON、)、LPCVD(SiO2、Si3N4、Poly)、磁控溅射(Au、Ni、Ag、Cr、 Cu、Al、Ti、Pt、Pd、Zn、Ta、Mo、W、CO、TiW、PZT和压电薄膜AlN)电子束蒸发(Au、AuGe 、Pt、 Al、 Ti、Cr、Ni、Ag、Mg等)、深硅刻蚀、电镀、快速退火、真空退火、CMP(减薄、研磨、抛光)、MOCVD 砷化镓、磷化铟外延生长、切割、键合、电阻率和方块测试、SEM、XRD、EDS、SIMS等测试,同时按照客户要求,协助加工晶圆级样品等加工服务。


工艺参数

  • 光刻: 4″,6″,8″双面对准

  • 深硅刻蚀: BOSCH工艺,深宽比:20:1

  • RIE刻蚀: SiO2,Si3N4

  • 湿法异向腐蚀: TMAH,KOH

  • 磁控溅射: Ti,Cr,Au,Cu,Al,Pt,TiN,Ni.

  • 电子束蒸发: Ti,Cr,Au,Cu,Al,Pt,TiN,Ni.

  • 热蒸发: Ti,Cr,Au,Cu,Al,Pt,TiN,Ni.

  • PECVD: SiO2,Si3N4,a-Si.

  • LPCVD: SiO2,Si3N4,Poly Si.

  • ICPCVD: SiO2,Si3N4,Poly Si.

  • 离子注入 

  • 柔性电子印刷

  • 电镀:  Cu,Ni,Zn,Au,Ag,Fe-Ni

  • 深孔电铸:Cu,Ni,Ag,Au(TSV)


   特色工艺

  • 硅基微纳孔结构及悬空复合薄膜

  • 金属基微纳米异型孔结构

  • 玻璃/陶瓷基微纳器件


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网址:www.elemems.com


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