集成无源器件（Integrated Passive Device，IPD）技术可以将分立的无源器件集成在衬底内部，提高器件 Q 值及系统集成度。尤其是基于高阻硅 IPD 薄膜技术具有高精度、高集成度等特点，可将无源器件特征尺寸缩小一个数量级。同时可利用成熟的硅工艺平台，便于批量生产降低成本。尤为重要的是，高阻硅 IPD技术可与 TSV 技术兼容，实现无源器件包括电阻、电容、电感等器件集成在一个单独器件内，可实现器件三维叠层封装，在节省空间的同时，可以增加器件的功能性、并简化印刷电路板的设计。

因此，采用先进的无源元件集成基板结构设计集成电路技术是实现和满足集成电路的电子系统将朝着速度更快、功能更强大、多附加值、体积更小、和高密度集成的方向发展的重要途径。高阻硅 IPD 技术以高阻硅为衬底，采用薄膜技术制备嵌入式无源器件，使得衬底功能化，是下一代电子产品的重要发展趋势之一。

苏州甫一电子科技有限公司采用半导体加工技术与电化学技术相结合，制备出基于硅、玻璃基板的薄膜 IPD 器件，能提供优良的器件精度和功能密度，并与三维通孔技术相结合，能够制作各种薄膜式电阻器、电容器和电感器及互连结构，以及完成无源元件之间的传输布线，可广泛应用于微波通讯、射频、高精度复合元件、高密度集成和大功率器件领域。