针对目前 TSV 工艺中的技术难点，苏州甫一电子科技有限公司采用复合刻蚀技术实现高深宽比结构的微孔制备，采用独特的薄膜沉积技术构建均匀致密的绝缘层，通过精密电沉积技术进行金属互连微通道填充，可以有效控制互连微通道的形貌，以有效解决高密度互连中的散热问题。并通过综合性减薄技术，有效实现超薄 TSV 转接板的加工，解决在 TSV 三维封装中减薄工艺容易裂片的问题，实现 TSV 三维封装的产业化开拓了道路。

采用半导体工艺，

加工具有高的深宽比微纳米孔。

硅通孔技术可以通过垂直互连减小互联长度，减小信号延迟，降低电容/电感，实现芯片间的低功耗，高速通讯，增加宽带和实现器件集成的小型化。

广泛应用于射频、存储、通讯等芯片的三维封装领域。